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Alliance Memory AS4C1G8D3LA-10BIN
DDR3, 8G (1GX8), 1.35V, BGA 78
Hersteller Modell :AS4C1G8D3LA-10BIN
Hersteller :Alliance Memory
Dasenic Modell :AS4C1G8D3LA-10BIN-DS
Dokument :
AS4C1G8D3LA-10BIN Dokument
AS4C1G8D3LA-10BIN DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : DDR3, 8G (1GX8), 1.35V, BGA 78
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 17.4780 | $ 17.48 |
| 25+ | $ 17.4780 | $ 436.95 |
| 50+ | $ 17.4780 | $ 873.9 |
| 100+ | $ 17.4780 | $ 1747.8 |
| 250+ | $ 17.4780 | $ 4369.5 |
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AS4C1G8D3LA-10BIN Informationen
Alliance Memory AS4C1G8D3LA-10BIN technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 95°C (TC)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:78-TFBGA
- テクノロジー:SDRAM - DDR3L
- サプライヤーデバイスパッケージ:78-FBGA (9x10.5)
- メモリサイズ:8Gb (1G x 8)
- メモリタイプ:Volatile
- 電圧 - 供給:1.28V ~ 1.45V
- クロック周波数:933 MHz
- アクセス時間:20 ns
- メモリフォーマット:DRAM
- メモリインターフェース:Parallel
- 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:15ns
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
AS4C1G8D3LA-10BIN bereitgestellt von Alliance Memory
Alliance Memory は、Micron、Samsung、ISSI、Cypress、Nanya、Hynix などの SRAM、DRAM、NOR FLASH IC のピン互換代替品であるレガシーおよび新技術メモリ製品を製造する世界的なファブレス メーカーです。当社の目標は、お客様との長期的な関係を築き、当社が製造する部品に対する長期的なサポートを提供することです。当社は、米国、上海、台湾に在庫を保有しており、SRAM、DRAM、FLASH 製品の大部分を在庫から直接お届けします。競争力のある価格設定、迅速なサンプル処理、世界クラスのカスタマー サービスとサポートにより、Alliance Memory は、通信、コンピューティング、組み込み、IoT、産業、消費者市場向けの必須メモリ IC の信頼できるリソースとなっています。Alliance Memory, Inc. は、米国ワシントンに本社を置く非公開企業です。
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