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Alpha & Omega Semiconductor AOI2N60A
Hersteller Modell :AOI2N60A
Hersteller :Alpha & Omega Semiconductor
Dasenic Modell :AOI2N60A-DS
Dokument : AOI2N60A Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 2A TO251A
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AOI2N60A Informationen
Alpha & Omega Semiconductor AOI2N60A technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-50°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-251-3 Stub Leads, IPak
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-251A
- 消費電力(最大):57W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):600 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:2A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:4.7Ohm @ 1A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4.5V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:11 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:295 pF @ 25 V
- 駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):10V
- Vgs (最大):±30V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
AOI2N60A bereitgestellt von Alpha & Omega Semiconductor
Alpha and Omega Semiconductor Limited(AOS)は、幅広いパワー半導体の設計、開発、およびグローバルサプライヤであり、パワーMOSFET、IGBT、IPM、パワーIC製品の幅広いポートフォリオを備えています。当社の知的財産と技術知識には、パワー半導体業界の最新の進歩が含まれています。AOSは、ディスクリートおよびIC半導体プロセス技術、製品設計、高度なパッケージングのノウハウを統合して、高性能な電力管理ソリューションを開発することで他社と差別化を図っています。AOSの製品ポートフォリオは、ポータブルコンピュータ、フラットパネルテレビ、LED照明、スマートフォン、バッテリーパック、消費者向けおよび産業用のモーター制御、テレビ、コンピュータ、サーバー、通信機器用の電源など、大量生産アプリケーションを対象としています。Alpha and Omega Semiconductor Ltd.の完全子会社であるJireh Semiconductor, Inc.は、AOSの社内ウェハ工場であり、オレゴン州ヒルズボロにあります。
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