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Rochester Electronics FGB7N60UNDF
Hersteller Modell :FGB7N60UNDF
Hersteller :Rochester Electronics
Dasenic Modell :FGB7N60UNDF-DS
Dokument : FGB7N60UNDF Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
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FGB7N60UNDF Informationen
Rochester Electronics FGB7N60UNDF technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 入力タイプ:Standard
- パワー - 最大:83 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:D2PAK (TO-263)
- 逆回復時間 (trr):32.3 ns
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):14 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):600 V
- I G B Tタイプ:NPT
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.3V @ 15V, 7A
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):21 A
- エネルギーの切り替え:99µJ (on), 104µJ (off)
- ゲートチャージ:18 nC
- Td (オン/オフ) @ 25° C:5.9ns/32.3ns
- テスト条件:400V, 7A, 10Ohm, 15V
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
FGB7N60UNDF bereitgestellt von Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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