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GeneSiC Semiconductor 1N8031-GA

DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276
part number has RoHS
Hersteller Modell :1N8031-GA
Dasenic Modell :1N8031-GA-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
3+$ 1637.6600$ 4912.98
5+$ 1040.4000$ 5202
8+$ 686.3800$ 5491.04
10+$ 672.6400$ 6726.4
Auf Lager: 705
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
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Gesamt :$ 1637.66
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1N8031-GA Informationen

  • GeneSiC Semiconductor 1N8031-GA technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
  • 製品ステータス:Obsolete
  • 取り付けタイプ:Through Hole
  • パッケージ/ケース:TO-276AA
  • サプライヤーデバイスパッケージ:TO-276
  • スピード:No Recovery Time > 500mA (Io)
  • ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
  • 電流 - 平均整流 ( Io):1A
  • 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.5 V @ 1 A
  • 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:5 µA @ 650 V
  • 静電容量 @ Vr、 F:76pF @ 1V, 1MHz
  • 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):650 V
  • 逆回復時間 (trr):0 ns
  • 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 250°C
  • EU RoHS ステータス:RoHS non-compliant
  • モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8541.10.0080
  • REACH規則:Vendor is not defined
  • 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
1N8031-GA bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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