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GeneSiC Semiconductor FR6J05

DIODE GEN PURP 600V 6A DO4
part number has RoHS
Hersteller Modell :FR6J05
Dasenic Modell :FR6J05-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 6A DO4
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
125+$ 10.5600$ 1320
250+$ 10.0600$ 2515
500+$ 9.6200$ 4810
Auf Lager: 1873
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
Einzelpreis :$ 10.56
Gesamt :$ 10.56
Waren ausliefern :
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Zahlung :
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FR6J05 Informationen

  • GeneSiC Semiconductor FR6J05 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
  • Produktstatus:Active
  • Montagetyp:Chassis, Stud Mount
  • Verpackung/ Koffer:DO-203AA, DO-4, Stud
  • Gerätepaket des Lieferanten:DO-4
  • Geschwindigkeit:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Diodentyp:Standard
  • Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet ( Io):6A
  • Spannung - Vorwärts ( Vf) ( Max) @ If:1.4 V @ 6 A
  • Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:25 µA @ 50 V
  • Kapazität @ Vr, F:-
  • Spannung – D C- Rückwärtsspannung ( Vr) ( Max):600 V
  • Sperrverzögerungszeit (trr):500 ns
  • Betriebstemperatur – Verbindungsstelle:-65°C ~ 150°C
  • EU RoHS-Status:RoHS Compliant
  • MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • US-ECCN:EAR99
  • HTS USA:8541.10.0080
  • REACH-Status:REACH is not affected
  • China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
FR6J05 bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbid-Technologie (SiC). Führende globale Hersteller verlassen sich auf die Technologie von GeneSiC, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller und sparsamer und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. GeneSiC besitzt führende Patente auf Wide-Bandgap-Power-Device-Technologien, ein Markt, der bis 2025 voraussichtlich mehr als 5 Milliarden US-Dollar erreichen wird. Unsere Kernkompetenzen in den Bereichen Design, Prozess und Technologie steigern den Wert des Endprodukts unserer Kunden, wobei Leistungs- und Kostenkennzahlen neue Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie setzen. Im August 2022 gab Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) die Übernahme von GeneSiC Semiconductor bekannt.
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