Rückmeldung
Deutsch

Die Bilder dienen nur als Referenz.

Aktie

1 : $266.0310

Bei der Erstregistrierung mit Bestellungen über 2.000 US-Dollar erhalten Sie einen Gutschein im Wert von 100 US-Dollar. Registrieren !

Certifications for ISO9001
Certifications for ISO13485
Certifications for ISO45001
Certifications for ISO14001

GeneSiC Semiconductor G2R50MT33K

3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFET
part number has RoHS
Hersteller Modell :G2R50MT33K
Dasenic Modell :G2R50MT33K-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : 3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFET
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
1+$ 266.0310$ 266.03
10+$ 243.6480$ 2436.48
Auf Lager: 1560
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
Einzelpreis :$ 266.031
Gesamt :$ 266.03
Waren ausliefern :
dhlupsfedex
Zahlung :
paypalwiretransferpaypal02paypal04

Hilft Ihnen, Kosten und Zeit zu sparen.

Strenge Qualitätskontrolle und zuverlässige Verpackung der Waren.

Schnelle, zuverlässige Lieferung, um Zeit zu sparen.

Bieten Sie einen 365-tägigen Garantie-Kundendienst.

G2R50MT33K Informationen

  • GeneSiC Semiconductor G2R50MT33K technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • Produktstatus:Active
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp:Through Hole
  • Verpackung/ Koffer:TO-247-4
  • Technologie:SiCFET (Silicon Carbide)
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-247-4
  • Verlustleistung (max.):536W (Tc)
  • F E T- Typ:N-Channel
  • F E T- Funktion:Standard
  • Drain- Source- Spannung ( Vdss):3300 V
  • Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:63A (Tc)
  • R D S ein (max.) bei I D, V G S:50mOhm @ 40A, 20V
  • Vgs(th) ( Max) @ Id:3.5V @ 10mA (Typ)
  • Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:340 nC @ 20 V
  • Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:7301 pF @ 1000 V
  • Antriebsspannung ( Max. Rds On, Min. Rds On):20V
  • Vgs (max.):+25V, -10V
  • EU RoHS-Status:RoHS Compliant
  • MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • US-ECCN:EAR99
  • HTS USA:8541.29.0095
  • REACH-Status:REACH is not affected
  • China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
G2R50MT33K bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbid-Technologie (SiC). Führende globale Hersteller verlassen sich auf die Technologie von GeneSiC, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller und sparsamer und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. GeneSiC besitzt führende Patente auf Wide-Bandgap-Power-Device-Technologien, ein Markt, der bis 2025 voraussichtlich mehr als 5 Milliarden US-Dollar erreichen wird. Unsere Kernkompetenzen in den Bereichen Design, Prozess und Technologie steigern den Wert des Endprodukts unserer Kunden, wobei Leistungs- und Kostenkennzahlen neue Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie setzen. Im August 2022 gab Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) die Übernahme von GeneSiC Semiconductor bekannt.
GeneSiC Semiconductor Verwandte Produkte

Wir können Kundenanfragen nach elektronischen Komponenten umgehend erfüllen, auch bei Teilen, die auf dem Markt knapp sind.

  • RFQ