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GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J

Name: G3R160MT17J
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: DS-6135529
Price: 13.176 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (3 reviews)

SIC MOSFET N-CH 22A TO263-7

Hersteller Modell :G3R160MT17J

Hersteller :GeneSiC Semiconductor

Dasenic Modell :G3R160MT17J-DS

Dokument :

G3R160MT17J Dokument

Kundenanpassung :

Kundenanpassung

Beschreibung : SIC MOSFET N-CH 22A TO263-7

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Menge	Einzelpreis	Gesamt
10+	$ 13.1760	$ 131.76
500+	$ 10.9800	$ 5490
1000+	$ 10.4670	$ 10467
2000+	$ 10.0080	$ 20016

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G3R160MT17J Informationen

GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Produktstatus:Active
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Montagetyp:Surface Mount
Verpackung/ Koffer:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Technologie:SiCFET (Silicon Carbide)
Gerätepaket des Lieferanten:TO-263-7
Verlustleistung (max.):187W (Tc)
F E T- Typ:N-Channel
F E T- Funktion:-
Drain- Source- Spannung ( Vdss):1700 V
Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:22A (Tc)
R D S ein (max.) bei I D, V G S:208mOhm @ 12A, 15V
Vgs(th) ( Max) @ Id:2.7V @ 5mA
Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:51 nC @ 15 V
Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:1272 pF @ 1000 V
Antriebsspannung ( Max. Rds On, Min. Rds On):15V
Vgs (max.):±15V
EU RoHS-Status:RoHS Compliant
MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
US-ECCN:EAR99
HTS USA:8541.29.0095
REACH-Status:REACH is not affected
China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

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Datasheet:
G3R160MT17J,

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DHL	DHL Express, 3-7 business days DHL eCommerce，12-22 business days
FedEx	3-7 business days
UPS	5-7 business days

G3R160MT17J bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor

GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbid-Technologie (SiC). Führende globale Hersteller verlassen sich auf die Technologie von GeneSiC, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller und sparsamer und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. GeneSiC besitzt führende Patente auf Wide-Bandgap-Power-Device-Technologien, ein Markt, der bis 2025 voraussichtlich mehr als 5 Milliarden US-Dollar erreichen wird. Unsere Kernkompetenzen in den Bereichen Design, Prozess und Technologie steigern den Wert des Endprodukts unserer Kunden, wobei Leistungs- und Kostenkennzahlen neue Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie setzen. Im August 2022 gab Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) die Übernahme von GeneSiC Semiconductor bekannt.