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GeneSiC Semiconductor GC08MPS12-220

Name: GC08MPS12-220
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: DS-5830045
Price: 1.602 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (3 reviews)

SIC DIODE 1200V 8A TO-220-2

Hersteller Modell :GC08MPS12-220

Hersteller :GeneSiC Semiconductor

Dasenic Modell :GC08MPS12-220-DS

Dokument :

GC08MPS12-220 Dokument

Kundenanpassung :

Kundenanpassung

Beschreibung : SIC DIODE 1200V 8A TO-220-2

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GC08MPS12-220 Informationen

GeneSiC Semiconductor GC08MPS12-220 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
製品ステータス:Obsolete
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-220-2
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220-2
スピード:No Recovery Time > 500mA (Io)
ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
電流 - 平均整流 ( Io):43A (DC)
電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.8 V @ 8 A
電流 - 逆方向漏れ @ Vr:7 µA @ 1200 V
静電容量 @ Vr、 F:545pF @ 1V, 1MHz
電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1200 V
逆回復時間 (trr):0 ns
動作温度 - 接合部:-55°C ~ 175°C
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:Vendor is not defined
輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period

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Datasheet:
GC08MPS12-220,

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GC08MPS12-220 bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor

GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。