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GeneSiC Semiconductor MBR200100CTS
DIODE MODULE 100V 200A SOT227
Hersteller Modell :MBR200100CTS
Hersteller :GeneSiC Semiconductor
Dasenic Modell :MBR200100CTS-DS
Dokument :
MBR200100CTS Dokument
MBR200100CTS DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : DIODE MODULE 100V 200A SOT227
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 4+ | $ 153.2000 | $ 612.8 |
| 7+ | $ 131.3200 | $ 919.24 |
| 10+ | $ 128.7000 | $ 1287 |
| 13+ | $ 126.1200 | $ 1639.56 |
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MBR200100CTS Informationen
GeneSiC Semiconductor MBR200100CTS technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
- 製品ステータス:Obsolete
- 取り付けタイプ:Screw Mount
- パッケージ/ケース:SOT-227-4
- サプライヤーデバイスパッケージ:SOT-227
- スピード:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- ダイオードタイプ:Schottky
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:950 mV @ 100 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:10 µA @ 80 V
- ダイオード構成:2 Independent
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):100 V
- 電流 - 平均整流電流 ( Io) (ダイオードあたり):200A (DC)
- 逆回復時間 (trr):-
- 動作温度 - 接合部:-40°C ~ 175°C
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
MBR200100CTS bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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