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GeneSiC Semiconductor MBR40030CTRL

Name: MBR40030CTRL
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: DS-5771839
Price: 95 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (3 reviews)

DIODE SCHOTTKY 30V 200A 2 TOWER

Hersteller Modell :MBR40030CTRL

Hersteller :GeneSiC Semiconductor

Dasenic Modell :MBR40030CTRL-DS

Dokument :

MBR40030CTRL Dokument

Kundenanpassung :

Kundenanpassung

Beschreibung : DIODE SCHOTTKY 30V 200A 2 TOWER

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MBR40030CTRL Informationen

GeneSiC Semiconductor MBR40030CTRL technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
Produktstatus:Obsolete
Montagetyp:Chassis Mount
Verpackung/ Koffer:Twin Tower
Gerätepaket des Lieferanten:Twin Tower
Geschwindigkeit:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diodentyp:Schottky
Spannung - Vorwärts ( Vf) ( Max) @ If:580 mV @ 200 A
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:3 mA @ 30 V
Diodenkonfiguration:1 Pair Common Anode
Spannung – D C- Rückwärtsspannung ( Vr) ( Max):30 V
Strom – gleichgerichteter Durchschnitt ( Io) (pro Diode):200A
Sperrverzögerungszeit (trr):-
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle:-55°C ~ 150°C
MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
US-ECCN:EAR99
HTS USA:8541.10.0080
EU RoHS-Status:RoHS Compliant
REACH-Status:Vendor is not defined
China RoHS-Status:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period

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Datasheet:
MBR40030CTRL,

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DHL	DHL Express, 3-7 business days DHL eCommerce，12-22 business days
FedEx	3-7 business days
UPS	5-7 business days

MBR40030CTRL bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor

GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbid-Technologie (SiC). Führende globale Hersteller verlassen sich auf die Technologie von GeneSiC, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller und sparsamer und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. GeneSiC besitzt führende Patente auf Wide-Bandgap-Power-Device-Technologien, ein Markt, der bis 2025 voraussichtlich mehr als 5 Milliarden US-Dollar erreichen wird. Unsere Kernkompetenzen in den Bereichen Design, Prozess und Technologie steigern den Wert des Endprodukts unserer Kunden, wobei Leistungs- und Kostenkennzahlen neue Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie setzen. Im August 2022 gab Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) die Übernahme von GeneSiC Semiconductor bekannt.