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GeneSiC Semiconductor MBRT600100R

Name: MBRT600100R
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: DS-5766769
Price: 301.52 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (3 reviews)

DIODE MODULE 100V 300A 3TOWER

Hersteller Modell :MBRT600100R

Hersteller :GeneSiC Semiconductor

Dasenic Modell :MBRT600100R-DS

Dokument :

MBRT600100R Dokument

Kundenanpassung :

Kundenanpassung

Beschreibung : DIODE MODULE 100V 300A 3TOWER

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Menge	Einzelpreis	Gesamt
20+	$ 301.5200	$ 6030.4
40+	$ 287.6000	$ 11504
80+	$ 274.9200	$ 21993.6

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MOQ :1 PCS

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Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden

Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong

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MBRT600100R Informationen

GeneSiC Semiconductor MBRT600100R technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
Produktstatus:Active
Montagetyp:Chassis Mount
Verpackung/ Koffer:Three Tower
Gerätepaket des Lieferanten:Three Tower
Geschwindigkeit:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diodentyp:Schottky
Spannung - Vorwärts ( Vf) ( Max) @ If:880 mV @ 300 A
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:1 mA @ 20 V
Diodenkonfiguration:1 Pair Common Anode
Spannung – D C- Rückwärtsspannung ( Vr) ( Max):100 V
Strom – gleichgerichteter Durchschnitt ( Io) (pro Diode):300A
Sperrverzögerungszeit (trr):-
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle:-55°C ~ 150°C
EU RoHS-Status:RoHS Compliant
REACH-Status:REACH is not affected
US-ECCN:EAR99
China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

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Datasheet:
MBRT600100R,

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DHL	DHL Express, 3-7 business days DHL eCommerce，12-22 business days
FedEx	3-7 business days
UPS	5-7 business days

MBRT600100R bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor

GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbid-Technologie (SiC). Führende globale Hersteller verlassen sich auf die Technologie von GeneSiC, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller und sparsamer und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. GeneSiC besitzt führende Patente auf Wide-Bandgap-Power-Device-Technologien, ein Markt, der bis 2025 voraussichtlich mehr als 5 Milliarden US-Dollar erreichen wird. Unsere Kernkompetenzen in den Bereichen Design, Prozess und Technologie steigern den Wert des Endprodukts unserer Kunden, wobei Leistungs- und Kostenkennzahlen neue Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie setzen. Im August 2022 gab Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) die Übernahme von GeneSiC Semiconductor bekannt.