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GeneSiC Semiconductor MBRTA80035

DIODE SCHOTTKY 35V 400A 3TOWER
part number has RoHS
Hersteller Modell :MBRTA80035
Dasenic Modell :MBRTA80035-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : DIODE SCHOTTKY 35V 400A 3TOWER
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
Auf Lager: 39
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
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MBRTA80035 Informationen

  • GeneSiC Semiconductor MBRTA80035 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
  • Produktstatus:Obsolete
  • Montagetyp:Chassis Mount
  • Verpackung/ Koffer:Three Tower
  • Gerätepaket des Lieferanten:Three Tower
  • Geschwindigkeit:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Diodentyp:Schottky
  • Spannung - Vorwärts ( Vf) ( Max) @ If:720 mV @ 400 A
  • Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:1 mA @ 35 V
  • Diodenkonfiguration:1 Pair Common Cathode
  • Spannung – D C- Rückwärtsspannung ( Vr) ( Max):35 V
  • Strom – gleichgerichteter Durchschnitt ( Io) (pro Diode):400A
  • Sperrverzögerungszeit (trr):-
  • Betriebstemperatur – Verbindungsstelle:-55°C ~ 150°C
  • EU RoHS-Status:RoHS Compliant
  • REACH-Status:Vendor is not defined
  • US-ECCN:Provided as per user requirements
  • China RoHS-Status:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
MBRTA80035 bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbid-Technologie (SiC). Führende globale Hersteller verlassen sich auf die Technologie von GeneSiC, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller und sparsamer und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. GeneSiC besitzt führende Patente auf Wide-Bandgap-Power-Device-Technologien, ein Markt, der bis 2025 voraussichtlich mehr als 5 Milliarden US-Dollar erreichen wird. Unsere Kernkompetenzen in den Bereichen Design, Prozess und Technologie steigern den Wert des Endprodukts unserer Kunden, wobei Leistungs- und Kostenkennzahlen neue Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie setzen. Im August 2022 gab Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) die Übernahme von GeneSiC Semiconductor bekannt.
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