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GeneSiC Semiconductor MURT30020

Name: MURT30020
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: DS-5766491
Price: 254.66 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (3 reviews)

DIODE MODULE 200V 150A 3TOWER

Hersteller Modell :MURT30020

Hersteller :GeneSiC Semiconductor

Dasenic Modell :MURT30020-DS

Dokument :

MURT30020 Dokument

Kundenanpassung :

Kundenanpassung

Beschreibung : DIODE MODULE 200V 150A 3TOWER

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Menge	Einzelpreis	Gesamt
20+	$ 254.6600	$ 5093.2
40+	$ 242.9200	$ 9716.8
80+	$ 232.2000	$ 18576

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Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden

Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong

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MURT30020 Informationen

GeneSiC Semiconductor MURT30020 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
Produktstatus:Active
Montagetyp:Chassis Mount
Verpackung/ Koffer:Three Tower
Gerätepaket des Lieferanten:Three Tower
Geschwindigkeit:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diodentyp:Standard
Spannung - Vorwärts ( Vf) ( Max) @ If:1.3 V @ 150 A
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:25 µA @ 50 V
Diodenkonfiguration:1 Pair Common Cathode
Spannung – D C- Rückwärtsspannung ( Vr) ( Max):200 V
Strom – gleichgerichteter Durchschnitt ( Io) (pro Diode):150A
Sperrverzögerungszeit (trr):100 ns
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle:-55°C ~ 150°C
EU RoHS-Status:RoHS Compliant
MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
US-ECCN:EAR99
HTS USA:8541.10.0080
REACH-Status:REACH is not affected
China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

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Datasheet:
MURT30020,

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DHL	DHL Express, 3-7 business days DHL eCommerce，12-22 business days
FedEx	3-7 business days
UPS	5-7 business days

MURT30020 bereitgestellt von GeneSiC Semiconductor

GeneSiC Semiconductor ist ein Pionier und Weltmarktführer in der Siliziumkarbid-Technologie (SiC). Führende globale Hersteller verlassen sich auf die Technologie von GeneSiC, um die Leistung und Effizienz ihrer Produkte zu steigern. Die elektronischen Komponenten von GeneSiC laufen kühler, schneller und sparsamer und spielen eine Schlüsselrolle bei der Energieeinsparung in einer Vielzahl von Hochleistungssystemen. GeneSiC besitzt führende Patente auf Wide-Bandgap-Power-Device-Technologien, ein Markt, der bis 2025 voraussichtlich mehr als 5 Milliarden US-Dollar erreichen wird. Unsere Kernkompetenzen in den Bereichen Design, Prozess und Technologie steigern den Wert des Endprodukts unserer Kunden, wobei Leistungs- und Kostenkennzahlen neue Maßstäbe in der Siliziumkarbidindustrie setzen. Im August 2022 gab Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) die Übernahme von GeneSiC Semiconductor bekannt.