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Goford Semiconductor G06N10
Hersteller Modell :G06N10
Hersteller :Goford Semiconductor
Dasenic Modell :G06N10-DS
Dokument : G06N10 Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : N100V,RD(MAX)<240M@10V,VTH1.2V~3
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G06N10 Informationen
Goford Semiconductor G06N10 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-
- 取り付けタイプ:-
- パッケージ/ケース:-
- テクノロジー:-
- サプライヤーデバイスパッケージ:-
- 消費電力(最大):-
- F E Tタイプ:-
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):-
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:-
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:-
- Vgs(th) (最大) @ Id:-
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:-
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:-
- 駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):-
- Vgs (最大):-
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
G06N10 bereitgestellt von Goford Semiconductor
1995 年の設立以来、Goford Semiconductor は米国、香港、オーストラリア、深圳、江蘇省にオフィスを構えるグローバル企業へと成長してきました。当社は常にパワー MOSFET 製品の研究開発と販売に注力してきました。当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性を重視し、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。
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