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Goford Semiconductor G1003A

N100V,RD(MAX)<210M@10V,RD(MAX)<2
part number has RoHS
Hersteller Modell :G1003A
Dasenic Modell :G1003A-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : N100V,RD(MAX)<210M@10V,RD(MAX)<2
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
10+$ 0.1361$ 1.36
3000+$ 0.0756$ 226.8
15000+$ 0.0702$ 1053
30000+$ 0.0630$ 1890
Auf Lager: 22236
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
Einzelpreis :$ 0.1361
Gesamt :$ 0.14
Waren ausliefern :
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Zahlung :
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G1003A Informationen

  • Goford Semiconductor G1003A technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤーデバイスパッケージ:SOT-23-3
  • 消費電力(最大):5W (Tc)
  • F E Tタイプ:N-Channel
  • F E T機能:-
  • ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):100 V
  • 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:3A (Tc)
  • Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:210mOhm @ 3A, 10V
  • Vgs(th) (最大) @ Id:3V @ 250µA
  • ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:18.2 nC @ 10 V
  • 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:622 pF @ 25 V
  • 駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):4.5V, 10V
  • Vgs (最大):±20V
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
  • REACH規則:REACH Unaffected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8541.29.0095
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
G1003A bereitgestellt von Goford Semiconductor
1995 年の設立以来、Goford Semiconductor は米国、香港、オーストラリア、深圳、江蘇省にオフィスを構えるグローバル企業へと成長してきました。当社は常にパワー MOSFET 製品の研究開発と販売に注力してきました。当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性を重視し、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。
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