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Goford Semiconductor G3035L
P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
Hersteller Modell :G3035L
Hersteller :Goford Semiconductor
Dasenic Modell :G3035L-DS
Dokument :
G3035L Dokument
G3035L DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 10+ | $ 0.0761 | $ 0.76 |
| 3000+ | $ 0.0423 | $ 126.9 |
| 15000+ | $ 0.0387 | $ 580.5 |
| 30000+ | $ 0.0351 | $ 1053 |
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G3035L Informationen
Goford Semiconductor G3035L technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- Produktstatus:Active
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Montagetyp:Surface Mount
- Verpackung/ Koffer:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Gerätepaket des Lieferanten:SOT-23-3
- Verlustleistung (max.):1.4W (Ta)
- F E T- Typ:P-Channel
- F E T- Funktion:-
- Drain- Source- Spannung ( Vdss):30 V
- Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:4.1A (Ta)
- R D S ein (max.) bei I D, V G S:59mOhm @ 2.1A, 10V
- Vgs(th) ( Max) @ Id:2V @ 250µA
- Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:12.5 nC @ 10 V
- Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:650 pF @ 15 V
- Antriebsspannung ( Max. Rds On, Min. Rds On):4.5V, 10V
- Vgs (max.):±20V
- EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant
- MSL-Bewertung:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH-Status:REACH Unaffected
- US-ECCN:EAR99
- HTS USA:8541.29.0095
- China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
G3035L bereitgestellt von Goford Semiconductor
Seit der Gründung im Jahr 1995 hat sich Goford Semiconductor zu einem globalen Unternehmen mit Niederlassungen in den USA, Hongkong, Australien, Shenzhen und Jiangsu entwickelt. Wir haben uns immer der Forschung und Entwicklung sowie dem Vertrieb von Power-Mosfets-Produkten gewidmet. Wir konzentrieren uns auf Energieeffizienz, Mobilität und Zuverlässigkeit, um dem Markt kostengünstige Produkte anzubieten.
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