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Infineon Technologies BAS16E6393HTSA1
DIODE GP 80V 250MA SOT23-3
Hersteller Modell :BAS16E6393HTSA1
Hersteller :Infineon Technologies
Dasenic Modell :BAS16E6393HTSA1-DS
Dokument :
BAS16E6393HTSA1 Dokument
BAS16E6393HTSA1 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : DIODE GP 80V 250MA SOT23-3
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
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| 500+ | $ 0.0238 | $ 11.9 |
| 1000+ | $ 0.0224 | $ 22.4 |
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BAS16E6393HTSA1 Informationen
Infineon Technologies BAS16E6393HTSA1 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- 製品ステータス:Last Time Buy
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- サプライヤーデバイスパッケージ:PG-SOT23
- スピード:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- ダイオードタイプ:Standard
- 電流 - 平均整流 ( Io):250mA (DC)
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.25 V @ 150 mA
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:1 µA @ 75 V
- 静電容量 @ Vr、 F:2pF @ 0V, 1MHz
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):80 V
- 逆回復時間 (trr):4 ns
- 動作温度 - 接合部:150°C (Max)
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0070
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
BAS16E6393HTSA1 bereitgestellt von Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) は、電力システムと IoT における世界的な半導体リーダーです。Infineon は、自社の製品とソリューションを通じて脱炭素化とデジタル化を推進しています。同社の半導体製品には、ASIC、バッテリー管理 IC、クロックとタイミング ソリューション、ESD とサージ保護、メモリ マイクロコントローラ、RF、セキュリティとスマート カード ソリューション、センサー、小信号トランジスタとダイオード、トランシーバー、ワイヤレス接続、ソフトウェアなどが含まれます。これらの製品は、自動車、グリーン産業用電力、電力管理、センシング ソリューション、IoT アプリケーションのセキュリティに使用されています。Infineon Technologies は、1999 年に Siemens AG からのスピンオフとして設立されました。ドイツのミュンヘン近郊のノイビーベルクに本社を置き、世界中に約 56,200 人の従業員と 155 の拠点を擁しています。
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