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Infineon Technologies IPD088N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Hersteller Modell :IPD088N06N3GATMA1
Hersteller :Infineon Technologies
Dasenic Modell :IPD088N06N3GATMA1-DS
Dokument :
IPD088N06N3GATMA1 Dokument
IPD088N06N3GATMA1 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 10+ | $ 1.5529 | $ 15.53 |
| 2500+ | $ 0.8627 | $ 2156.75 |
| 5000+ | $ 0.8014 | $ 4007 |
| 7500+ | $ 0.8627 | $ 6470.25 |
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IPD088N06N3GATMA1 Informationen
Infineon Technologies IPD088N06N3GATMA1 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- Produktstatus:Active
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Montagetyp:Surface Mount
- Verpackung/ Koffer:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Gerätepaket des Lieferanten:PG-TO252-3-311
- Verlustleistung (max.):71W (Tc)
- F E T- Typ:N-Channel
- F E T- Funktion:-
- Drain- Source- Spannung ( Vdss):60 V
- Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:50A (Tc)
- R D S ein (max.) bei I D, V G S:8.8mOhm @ 50A, 10V
- Vgs(th) ( Max) @ Id:4V @ 34µA
- Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:48 nC @ 10 V
- Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:3900 pF @ 30 V
- Antriebsspannung ( Max. Rds On, Min. Rds On):10V
- Vgs (max.):±20V
- EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant
- MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH-Status:REACH Unaffected
- US-ECCN:EAR99
- HTS USA:8541.29.0095
- China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IPD088N06N3GATMA1 bereitgestellt von Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) ist ein weltweit führender Halbleiterhersteller für Stromversorgungssysteme und IoT. Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Zu den Halbleiterprodukten des Unternehmens gehören ASIC, Batteriemanagement-ICs, Taktgeber und Timing-Lösungen, ESD- und Überspannungsschutz, Speichermikrocontroller, HF-, Sicherheits- und Chipkartenlösungen, Sensoren, Kleinsignaltransistoren und -dioden, Transceiver, drahtlose Konnektivität, Software und mehr. Diese Produkte werden in den Bereichen Automobil, umweltfreundliche Industriestromversorgung, Energiemanagement, Sensorlösungen und Sicherheit in IoT-Anwendungen eingesetzt. Infineon Technologies wurde 1999 als Spin-off der Siemens AG gegründet. Das Unternehmen hat seinen Hauptsitz in Neubiberg bei München und beschäftigt rund 56.200 Mitarbeiter an 155 Standorten weltweit.
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