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Infineon Technologies IPD65R650CEATMA1
MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252-3
Hersteller Modell :IPD65R650CEATMA1
Hersteller :Infineon Technologies
Dasenic Modell :IPD65R650CEATMA1-DS
Dokument :
IPD65R650CEATMA1 Dokument
IPD65R650CEATMA1 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252-3
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 10+ | $ 1.0725 | $ 10.73 |
| 2500+ | $ 0.7150 | $ 1787.5 |
| 5000+ | $ 0.6774 | $ 3387 |
| 12500+ | $ 0.6272 | $ 7840 |
| 25000+ | $ 0.6172 | $ 15430 |
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IPD65R650CEATMA1 Informationen
Infineon Technologies IPD65R650CEATMA1 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:PG-TO252-3
- 消費電力（最大）:86W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:Super Junction
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:10.1A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:650mOhm @ 2.1A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:3.5V @ 0.21mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:23 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:440 pF @ 100 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±20V
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IPD65R650CEATMA1 bereitgestellt von Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) は、電力システムと IoT における世界的な半導体リーダーです。Infineon は、自社の製品とソリューションを通じて脱炭素化とデジタル化を推進しています。同社の半導体製品には、ASIC、バッテリー管理 IC、クロックとタイミング ソリューション、ESD とサージ保護、メモリ マイクロコントローラ、RF、セキュリティとスマート カード ソリューション、センサー、小信号トランジスタとダイオード、トランシーバー、ワイヤレス接続、ソフトウェアなどが含まれます。これらの製品は、自動車、グリーン産業用電力、電力管理、センシング ソリューション、IoT アプリケーションのセキュリティに使用されています。Infineon Technologies は、1999 年に Siemens AG からのスピンオフとして設立されました。ドイツのミュンヘン近郊のノイビーベルクに本社を置き、世界中に約 56,200 人の従業員と 155 の拠点を擁しています。
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