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Infineon Technologies IPL65R660E6AUMA1
MOSFET N-CH 650V 7A THIN-PAK
Hersteller Modell :IPL65R660E6AUMA1
Hersteller :Infineon Technologies
Dasenic Modell :IPL65R660E6AUMA1-DS
Dokument :
IPL65R660E6AUMA1 Dokument
IPL65R660E6AUMA1 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 7A THIN-PAK
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 0.7650 | $ 0.77 |
| 25+ | $ 0.7497 | $ 18.74 |
| 100+ | $ 0.7191 | $ 71.91 |
| 500+ | $ 0.6885 | $ 344.25 |
| 1000+ | $ 0.6503 | $ 650.3 |
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IPL65R660E6AUMA1 Informationen
Infineon Technologies IPL65R660E6AUMA1 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:4-PowerTSFN
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:PG-VSON-4
- 消費電力（最大）:63W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:7A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:660mOhm @ 2.1A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:3.5V @ 200µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:23 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:440 pF @ 100 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±20V
- モイスチャーレベル:2 (1 Year,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IPL65R660E6AUMA1 bereitgestellt von Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) は、電力システムと IoT における世界的な半導体リーダーです。Infineon は、自社の製品とソリューションを通じて脱炭素化とデジタル化を推進しています。同社の半導体製品には、ASIC、バッテリー管理 IC、クロックとタイミング ソリューション、ESD とサージ保護、メモリ マイクロコントローラ、RF、セキュリティとスマート カード ソリューション、センサー、小信号トランジスタとダイオード、トランシーバー、ワイヤレス接続、ソフトウェアなどが含まれます。これらの製品は、自動車、グリーン産業用電力、電力管理、センシング ソリューション、IoT アプリケーションのセキュリティに使用されています。Infineon Technologies は、1999 年に Siemens AG からのスピンオフとして設立されました。ドイツのミュンヘン近郊のノイビーベルクに本社を置き、世界中に約 56,200 人の従業員と 155 の拠点を擁しています。
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