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Infineon Technologies IPP06CN10NGXKSA1
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Hersteller Modell :IPP06CN10NGXKSA1
Hersteller :Infineon Technologies
Dasenic Modell :IPP06CN10NGXKSA1-DS
Dokument :
IPP06CN10NGXKSA1 Dokument
IPP06CN10NGXKSA1 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 40+ | $ 1.2717 | $ 50.87 |
| 90+ | $ 1.0440 | $ 93.96 |
| 135+ | $ 1.0116 | $ 136.57 |
| 185+ | $ 0.9783 | $ 180.99 |
| 240+ | $ 0.9459 | $ 227.02 |
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IPP06CN10NGXKSA1 Informationen
Infineon Technologies IPP06CN10NGXKSA1 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-220-3
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:PG-TO220-3
- 消費電力（最大）:214W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):100 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:100A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:6.5mOhm @ 100A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 180µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:139 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:9200 pF @ 50 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IPP06CN10NGXKSA1 bereitgestellt von Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) は、電力システムと IoT における世界的な半導体リーダーです。Infineon は、自社の製品とソリューションを通じて脱炭素化とデジタル化を推進しています。同社の半導体製品には、ASIC、バッテリー管理 IC、クロックとタイミング ソリューション、ESD とサージ保護、メモリ マイクロコントローラ、RF、セキュリティとスマート カード ソリューション、センサー、小信号トランジスタとダイオード、トランシーバー、ワイヤレス接続、ソフトウェアなどが含まれます。これらの製品は、自動車、グリーン産業用電力、電力管理、センシング ソリューション、IoT アプリケーションのセキュリティに使用されています。Infineon Technologies は、1999 年に Siemens AG からのスピンオフとして設立されました。ドイツのミュンヘン近郊のノイビーベルクに本社を置き、世界中に約 56,200 人の従業員と 155 の拠点を擁しています。
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