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ISSI® IS25LE512M-RMLE
Hersteller Modell :IS25LE512M-RMLE
Hersteller :ISSI®
Dasenic Modell :IS25LE512M-RMLE-DS
Dokument : IS25LE512M-RMLE Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : IC FLASH 512MB SPI/QUAD 16SOIC
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IS25LE512M-RMLE Informationen
ISSI® IS25LE512M-RMLE technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-40°C ~ 105°C (TA)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
- テクノロジー:FLASH - NOR
- サプライヤーデバイスパッケージ:16-SOIC
- メモリサイズ:512Mbit
- メモリタイプ:Non-Volatile
- 電圧 - 供給:2.3V ~ 3.6V
- クロック周波数:133 MHz
- メモリフォーマット:Flash
- メモリインターフェース:SPI - Quad I/O, QPI, DTR
- 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:50µs, 1ms
- 記憶の組織化:64M x 8
- パッケージ:Tube
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:OBSOLETE
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IS25LE512M-RMLE bereitgestellt von ISSI®
1988 年に設立された Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) は、幅広い集積回路 (IC) とメモリ製品の設計、開発、製造を専門とする半導体企業です。当社は、自動車、産業および医療、通信/エンタープライズ、デジタル コンシューマーなどの主要市場向けに高性能集積回路を設計、開発、販売しています。当社の主力製品は、高速で低電力の SRAM、低密度および中密度の DRAM、NOR/NAND フラッシュ、eMMC 製品です。ISSI は、お客様の独自の要件を満たすカスタマイズおよびアプリケーション固有のソリューションも提供しています。ISSI の地域本部はカリフォルニアにあり、中国本土、ヨーロッパ、香港、インド、イスラエル、日本、韓国、シンガポール、台湾、米国に世界各地のオフィスがあります。
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