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ISSI® IS25WP512M-JLLE-TR

Name: IS25WP512M-JLLE-TR
Brand: ISSI®
SKU: DS-9746740
Price: 18.3548 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (3 reviews)

512Mb QPI/QSPI, 8-pin WSON 6x8mm

Hersteller Modell :IS25WP512M-JLLE-TR

Hersteller :ISSI®

Dasenic Modell :IS25WP512M-JLLE-TR-DS

Dokument :

IS25WP512M-JLLE-TR Dokument

Kundenanpassung :

Kundenanpassung

Beschreibung : 512Mb QPI/QSPI, 8-pin WSON 6x8mm

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IS25WP512M-JLLE-TR Informationen

ISSI® IS25WP512M-JLLE-TR technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
製品ステータス:Active
動作温度:-40°C ~ 105°C (TA)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:8-WDFN Exposed Pad
テクノロジー:FLASH - NOR (SLC)
サプライヤーデバイスパッケージ:8-WSON (8x6)
メモリサイズ:512Mbit
メモリタイプ:Non-Volatile
電圧 - 供給:1.7V ~ 1.95V
クロック周波数:112 MHz
メモリフォーマット:Flash
メモリインターフェース:SPI - Quad I/O, QPI, DTR
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:50µs, 1ms
シリーズ:Automotive, AEC-Q100
記憶の組織化:64M x 8
パッケージ:Tape & Reel (TR)
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

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Datasheet:
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FedEx	3-7 business days
UPS	5-7 business days

IS25WP512M-JLLE-TR bereitgestellt von ISSI®

1988 年に設立された Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) は、幅広い集積回路 (IC) とメモリ製品の設計、開発、製造を専門とする半導体企業です。当社は、自動車、産業および医療、通信/エンタープライズ、デジタルコンシューマーなどの主要市場向けに高性能集積回路を設計、開発、販売しています。当社の主力製品は、高速で低電力の SRAM、低密度および中密度の DRAM、NOR/NAND フラッシュ、eMMC 製品です。ISSI は、お客様の独自の要件を満たすカスタマイズおよびアプリケーション固有のソリューションも提供しています。ISSI の地域本部はカリフォルニアにあり、中国本土、ヨーロッパ、香港、インド、イスラエル、日本、韓国、シンガポール、台湾、米国に世界各地のオフィスがあります。