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ISSI® IS43LD16128C-18BLI

IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
part number has RoHS
Hersteller Modell :IS43LD16128C-18BLI
Hersteller :ISSI®
Dasenic Modell :IS43LD16128C-18BLI-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
1+$ 6.8850$ 6.89
10+$ 6.8850$ 68.85
25+$ 6.8850$ 172.13
50+$ 6.8850$ 344.25
100+$ 6.8850$ 688.5
Auf Lager: 1671
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
Einzelpreis :$ 6.885
Gesamt :$ 6.88
Waren ausliefern :
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Zahlung :
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IS43LD16128C-18BLI Informationen

  • ISSI® IS43LD16128C-18BLI technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
  • Produktstatus:Active
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TC)
  • Montagetyp:Surface Mount
  • Verpackung/ Koffer:134-TFBGA
  • Technologie:SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
  • Gerätepaket des Lieferanten:134-TFBGA (10x11.5)
  • Speichergröße:2Gbit
  • Speichertyp:Volatile
  • Spannung - Versorgung:1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
  • Taktfrequenz:533 MHz
  • Zugriffszeit:5.5 ns
  • Gedächtnis- Format:DRAM
  • Speicherschnittstelle:HSUL_12
  • Schreibzykluszeit – Wort, Seite:15ns
  • Speicherorganisation:128M x 16
  • Verpackung:Tray
  • EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant
  • MSL-Bewertung:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
  • REACH-Status:REACH Unaffected
  • US-ECCN:EAR99
  • China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IS43LD16128C-18BLI bereitgestellt von ISSI®
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) wurde 1988 gegründet und ist ein Halbleiterunternehmen, das sich auf die Entwicklung und Herstellung einer breiten Palette von integrierten Schaltkreisen (ICs) und Speicherprodukten spezialisiert hat. Wir entwerfen, entwickeln und vermarkten leistungsstarke integrierte Schaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte: Automobil, Industrie und Medizin, Kommunikation/Unternehmen und digitaler Verbraucher. Unsere Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringem Stromverbrauch sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte, NOR/NAND-Flash und eMMC-Produkte. ISSI bietet auch kundenspezifische und anwendungsspezifische Lösungen an, um die individuellen Anforderungen unserer Kunden zu erfüllen. Der regionale Hauptsitz von ISSI befindet sich in Kalifornien, mit weltweiten Niederlassungen in Festlandchina, Europa, Hongkong, Indien, Israel, Japan, Korea, Singapur und Taiwan sowie den USA
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