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ISSI® IS43QR16256B-075UBL
Hersteller Modell :IS43QR16256B-075UBL
Hersteller :ISSI®
Dasenic Modell :IS43QR16256B-075UBL-DS
Dokument : IS43QR16256B-075UBL Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2666MT/
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IS43QR16256B-075UBL Informationen
ISSI® IS43QR16256B-075UBL technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- Produktstatus:Active
- Betriebstemperatur:-40°C ~ 95°C (TC)
- Montagetyp:Surface Mount
- Verpackung/ Koffer:96-TFBGA
- Technologie:SDRAM - DDR4
- Gerätepaket des Lieferanten:96-TWBGA (7.5x13.5)
- Speichergröße:4Gbit
- Speichertyp:Volatile
- Spannung - Versorgung:1.14V ~ 1.26V
- Taktfrequenz:1.333 GHz
- Zugriffszeit:19 ns
- Gedächtnis- Format:DRAM
- Speicherschnittstelle:POD
- Schreibzykluszeit – Wort, Seite:15ns
- Speicherorganisation:256M x 16
- Verpackung:Bulk
- EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant
- MSL-Bewertung:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH-Status:REACH Unaffected
- US-ECCN:EAR99
- China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IS43QR16256B-075UBL bereitgestellt von ISSI®
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) wurde 1988 gegründet und ist ein Halbleiterunternehmen, das sich auf die Entwicklung und Herstellung einer breiten Palette von integrierten Schaltkreisen (ICs) und Speicherprodukten spezialisiert hat. Wir entwerfen, entwickeln und vermarkten leistungsstarke integrierte Schaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte: Automobil, Industrie und Medizin, Kommunikation/Unternehmen und digitaler Verbraucher. Unsere Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringem Stromverbrauch sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte, NOR/NAND-Flash und eMMC-Produkte. ISSI bietet auch kundenspezifische und anwendungsspezifische Lösungen an, um die individuellen Anforderungen unserer Kunden zu erfüllen. Der regionale Hauptsitz von ISSI befindet sich in Kalifornien, mit weltweiten Niederlassungen in Festlandchina, Europa, Hongkong, Indien, Israel, Japan, Korea, Singapur und Taiwan sowie den USA
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