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ISSI® IS43R83200B-6TL

IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
part number has RoHS
Hersteller Modell :IS43R83200B-6TL
Hersteller :ISSI®
Dasenic Modell :IS43R83200B-6TL-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
10+$ 1.6862$ 16.86
100+$ 1.6862$ 168.62
1000+$ 1.6862$ 1686.2
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Auf Lager: 29106
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
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Gesamt :$ 1.69
Waren ausliefern :
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Zahlung :
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IS43R83200B-6TL Informationen

  • ISSI® IS43R83200B-6TL technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
  • Produktstatus:Obsolete
  • Betriebstemperatur:0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp:Surface Mount
  • Verpackung/ Koffer:66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Technologie:SDRAM - DDR
  • Gerätepaket des Lieferanten:66-TSOP II
  • Speichergröße:256Mbit
  • Speichertyp:Volatile
  • Spannung - Versorgung:2.3V ~ 2.7V
  • Taktfrequenz:166 MHz
  • Zugriffszeit:700 ps
  • Gedächtnis- Format:DRAM
  • Speicherschnittstelle:Parallel
  • Schreibzykluszeit – Wort, Seite:15ns
  • Basisproduktnummer:IS43R83200
  • Speicherorganisation:32M x 8
  • Verpackung:Tray
  • EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant
  • MSL-Bewertung:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
  • REACH-Status:REACH Unaffected
  • US-ECCN:EAR99
  • HTS USA:8542.32.0024
  • China RoHS-Status:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IS43R83200B-6TL bereitgestellt von ISSI®
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) wurde 1988 gegründet und ist ein Halbleiterunternehmen, das sich auf die Entwicklung und Herstellung einer breiten Palette von integrierten Schaltkreisen (ICs) und Speicherprodukten spezialisiert hat. Wir entwerfen, entwickeln und vermarkten leistungsstarke integrierte Schaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte: Automobil, Industrie und Medizin, Kommunikation/Unternehmen und digitaler Verbraucher. Unsere Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringem Stromverbrauch sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte, NOR/NAND-Flash und eMMC-Produkte. ISSI bietet auch kundenspezifische und anwendungsspezifische Lösungen an, um die individuellen Anforderungen unserer Kunden zu erfüllen. Der regionale Hauptsitz von ISSI befindet sich in Kalifornien, mit weltweiten Niederlassungen in Festlandchina, Europa, Hongkong, Indien, Israel, Japan, Korea, Singapur und Taiwan sowie den USA
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