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ISSI® IS45S16100C1-7TLA1
Hersteller Modell :IS45S16100C1-7TLA1
Hersteller :ISSI®
Dasenic Modell :IS45S16100C1-7TLA1-DS
Dokument : IS45S16100C1-7TLA1 Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
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IS45S16100C1-7TLA1 Informationen
ISSI® IS45S16100C1-7TLA1 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- Produktstatus:Obsolete
- Verpackung/ Koffer:50-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
- Technologie:SDRAM
- Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TA)
- Spannungsversorgung:3V ~ 3.6V
- Speichergröße:16Mbit
- Speichertyp:Volatile
- Taktfrequenz:143 MHz
- Zugriffszeit:5.5 ns
- Speicherformat:DRAM
- Speicherschnittstelle:Parallel
- Speicher Organisation:1M x 16
- EU RoHS-Status:RoHS Compliant
- REACH-Status:Vendor is not defined
- US-ECCN:Provided as per user requirements
- China RoHS-Status:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IS45S16100C1-7TLA1 bereitgestellt von ISSI®
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) wurde 1988 gegründet und ist ein Halbleiterunternehmen, das sich auf die Entwicklung und Herstellung einer breiten Palette von integrierten Schaltkreisen (ICs) und Speicherprodukten spezialisiert hat. Wir entwerfen, entwickeln und vermarkten leistungsstarke integrierte Schaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte: Automobil, Industrie und Medizin, Kommunikation/Unternehmen und digitaler Verbraucher. Unsere Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringem Stromverbrauch sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte, NOR/NAND-Flash und eMMC-Produkte. ISSI bietet auch kundenspezifische und anwendungsspezifische Lösungen an, um die individuellen Anforderungen unserer Kunden zu erfüllen. Der regionale Hauptsitz von ISSI befindet sich in Kalifornien, mit weltweiten Niederlassungen in Festlandchina, Europa, Hongkong, Indien, Israel, Japan, Korea, Singapur und Taiwan sowie den USA
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