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ISSI® IS49NLC36160A-18WBL
Hersteller Modell :IS49NLC36160A-18WBL
Hersteller :ISSI®
Dasenic Modell :IS49NLC36160A-18WBL-DS
Dokument : IS49NLC36160A-18WBL Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x36, Co
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Verpackung :-
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IS49NLC36160A-18WBL Informationen
ISSI® IS49NLC36160A-18WBL technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- Produktstatus:Active
- Betriebstemperatur:0°C ~ 95°C (TC)
- Montagetyp:Surface Mount
- Verpackung/ Koffer:144-TFBGA
- Technologie:RLDRAM 2
- Gerätepaket des Lieferanten:144-TWBGA (11x18.5)
- Speichergröße:576Mbit
- Speichertyp:Volatile
- Spannung - Versorgung:1.7V ~ 1.9V
- Taktfrequenz:533 MHz
- Zugriffszeit:15 ns
- Gedächtnis- Format:DRAM
- Speicherschnittstelle:HSTL
- Speicherorganisation:16M x 36
- Verpackung:Bulk
- EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant
- MSL-Bewertung:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH-Status:REACH Unaffected
- US-ECCN:EAR99
- China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IS49NLC36160A-18WBL bereitgestellt von ISSI®
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) wurde 1988 gegründet und ist ein Halbleiterunternehmen, das sich auf die Entwicklung und Herstellung einer breiten Palette von integrierten Schaltkreisen (ICs) und Speicherprodukten spezialisiert hat. Wir entwerfen, entwickeln und vermarkten leistungsstarke integrierte Schaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte: Automobil, Industrie und Medizin, Kommunikation/Unternehmen und digitaler Verbraucher. Unsere Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringem Stromverbrauch sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte, NOR/NAND-Flash und eMMC-Produkte. ISSI bietet auch kundenspezifische und anwendungsspezifische Lösungen an, um die individuellen Anforderungen unserer Kunden zu erfüllen. Der regionale Hauptsitz von ISSI befindet sich in Kalifornien, mit weltweiten Niederlassungen in Festlandchina, Europa, Hongkong, Indien, Israel, Japan, Korea, Singapur und Taiwan sowie den USA
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