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ISSI® IS64WV51216EEBLL-10BLA3
Hersteller Modell :IS64WV51216EEBLL-10BLA3
Hersteller :ISSI®
Dasenic Modell :IS64WV51216EEBLL-10BLA3-DS
Dokument : IS64WV51216EEBLL-10BLA3 Dokument
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Beschreibung : 8Mb,High-Speed/Low Power,Async w
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IS64WV51216EEBLL-10BLA3 Informationen
ISSI® IS64WV51216EEBLL-10BLA3 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- Produktstatus:Active
- Verpackung/ Koffer:48-TFBGA
- Technologie:SRAM - Asynchronous
- Serie:Automotive, AEC-Q100
- Betriebstemperatur:-40°C ~ 125°C (TA)
- Spannungsversorgung:2.4V ~ 3.6V
- Speichergröße:8Mbit
- Speichertyp:Volatile
- Zugriffszeit:10 ns
- Speicherformat:SRAM
- Speicherschnittstelle:Parallel
- Speicher Organisation:512K x 16
- Schreibzykluszeit- Word Page:10ns
- EU RoHS-Status:RoHS Compliant
- REACH-Status:REACH is not affected
- US-ECCN:EAR99
- China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IS64WV51216EEBLL-10BLA3 bereitgestellt von ISSI®
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) wurde 1988 gegründet und ist ein Halbleiterunternehmen, das sich auf die Entwicklung und Herstellung einer breiten Palette von integrierten Schaltkreisen (ICs) und Speicherprodukten spezialisiert hat. Wir entwerfen, entwickeln und vermarkten leistungsstarke integrierte Schaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte: Automobil, Industrie und Medizin, Kommunikation/Unternehmen und digitaler Verbraucher. Unsere Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringem Stromverbrauch sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte, NOR/NAND-Flash und eMMC-Produkte. ISSI bietet auch kundenspezifische und anwendungsspezifische Lösungen an, um die individuellen Anforderungen unserer Kunden zu erfüllen. Der regionale Hauptsitz von ISSI befindet sich in Kalifornien, mit weltweiten Niederlassungen in Festlandchina, Europa, Hongkong, Indien, Israel, Japan, Korea, Singapur und Taiwan sowie den USA
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