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ISSI® IS64WV51216EEBLL-10CT2LA3
Hersteller Modell :IS64WV51216EEBLL-10CT2LA3
Hersteller :ISSI®
Dasenic Modell :IS64WV51216EEBLL-10CT2LA3-DS
Dokument : IS64WV51216EEBLL-10CT2LA3 Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : 8Mb,High-Speed/Low Power,Async w
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IS64WV51216EEBLL-10CT2LA3 Informationen
ISSI® IS64WV51216EEBLL-10CT2LA3 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- 製品ステータス:Active
- パッケージ/ケース:48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
- テクノロジー:SRAM - Asynchronous
- シリーズ:Automotive, AEC-Q100
- 動作温度:-40°C ~ 125°C (TA)
- 電圧供給:2.4V ~ 3.6V
- メモリサイズ:8Mbit
- メモリタイプ:Volatile
- アクセス時間:10 ns
- メモリフォーマット:SRAM
- メモリインターフェース:Parallel
- 記憶の整理:512K x 16
- 書き込みサイクル時間-ワードページ:10ns
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IS64WV51216EEBLL-10CT2LA3 bereitgestellt von ISSI®
1988 年に設立された Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) は、幅広い集積回路 (IC) とメモリ製品の設計、開発、製造を専門とする半導体企業です。当社は、自動車、産業および医療、通信/エンタープライズ、デジタル コンシューマーなどの主要市場向けに高性能集積回路を設計、開発、販売しています。当社の主力製品は、高速で低電力の SRAM、低密度および中密度の DRAM、NOR/NAND フラッシュ、eMMC 製品です。ISSI は、お客様の独自の要件を満たすカスタマイズおよびアプリケーション固有のソリューションも提供しています。ISSI の地域本部はカリフォルニアにあり、中国本土、ヨーロッパ、香港、インド、イスラエル、日本、韓国、シンガポール、台湾、米国に世界各地のオフィスがあります。
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