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IXYS CS19-08HO1C
Hersteller Modell :CS19-08HO1C
Hersteller :IXYS
Dasenic Modell :CS19-08HO1C-DS
Dokument : CS19-08HO1C Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : SCR 800V 35A ISOPLUS220
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CS19-08HO1C Informationen
IXYS CS19-08HO1C technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Thyristors - SCRs
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 125°C
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:ISOPLUS220™
- サプライヤーデバイスパッケージ:ISOPLUS220™
- 電流 - 保持 ( Ih) (最大):50 mA
- 電圧 - オフ状態:800 V
- 電流 - オン状態 ( It ( A V)) (最大):13 A
- 電流 - オン状態 ( It ( R M S)) (最大):35 A
- 電圧 - ゲートトリガー ( Vgt) (最大):1.5 V
- 電流 - ゲートトリガー ( Igt) (最大):25 mA
- 電流 - 非反復サージ 50、60 Hz ( Itsm):100A, 105A
- 電圧 - オン状態 ( Vtm) (最大):1.65 V
- 電流 - オフ状態 (最大):1 mA
- S C Rタイプ:Standard Recovery
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.30.0080
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
CS19-08HO1C bereitgestellt von IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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