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IXYS DS1-12D

Name: DS1-12D
Brand: IXYS
SKU: DS-5847794
Price: 1.0154 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (3 reviews)

DIODE GEN PURP 1.2KV 2.3A RADIAL

Hersteller Modell :DS1-12D

Hersteller :IXYS

Dasenic Modell :DS1-12D-DS

Dokument :

DS1-12D Dokument

Kundenanpassung :

Kundenanpassung

Beschreibung : DIODE GEN PURP 1.2KV 2.3A RADIAL

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DS1-12D Informationen

IXYS DS1-12D technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
製品ステータス:Obsolete
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:Radial
サプライヤーデバイスパッケージ:-
スピード:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
ダイオードタイプ:Standard
電流 - 平均整流 ( Io):2.3A
電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.3 V @ 7 A
電流 - 逆方向漏れ @ Vr:700 µA @ 1200 V
静電容量 @ Vr、 F:-
電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1200 V
逆回復時間 (trr):-
動作温度 - 接合部:-40°C ~ 150°C
モイスチャーレベル:Vendor omitted MSL Rating information
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.10.0080
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period

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Datasheet:
DS1-12D,

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FedEx	3-7 business days
UPS	5-7 business days

DS1-12D bereitgestellt von IXYS

IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンドカスタマーベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスドシグナルおよびアナログ IC、RF パワーアンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。