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IXYS FID60-06D

IGBT 600V 65A 200W I4PAC5
part number has RoHS
Hersteller Modell :FID60-06D
Hersteller :IXYS
Dasenic Modell :FID60-06D-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : IGBT 600V 65A 200W I4PAC5
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
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Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
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Menge :
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FID60-06D Informationen

  • IXYS FID60-06D technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
  • 製品ステータス:Obsolete
  • 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取り付けタイプ:Through Hole
  • パッケージ/ケース:i4-Pac™-5
  • 入力タイプ:Standard
  • パワー - 最大:200 W
  • サプライヤーデバイスパッケージ:ISOPLUS i4-PAC™
  • 逆回復時間 (trr):70 ns
  • 電流 - コレクター ( Ic) (最大):65 A
  • 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):600 V
  • I G B Tタイプ:NPT
  • Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2V @ 15V, 30A
  • 電流 - コレクタパルス ( Icm):-
  • エネルギーの切り替え:1mJ (on), 1.4mJ (off)
  • ゲートチャージ:120 nC
  • Td (オン/オフ) @ 25° C:-
  • テスト条件:300V, 30A, 22Ohm, 15V
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • REACH規則:REACH Unaffected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8541.29.0095
  • 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
FID60-06D bereitgestellt von IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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