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IXYS FII40-06D
IGBT H BRIDGE 600V 40A I4PAK5
Hersteller Modell :FII40-06D
Hersteller :IXYS
Dasenic Modell :FII40-06D-DS
Dokument :
FII40-06D Dokument
FII40-06D DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : IGBT H BRIDGE 600V 40A I4PAK5
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FII40-06D Informationen
IXYS FII40-06D technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Arrays
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:i4-Pac™-5
- パワー - 最大:125 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:ISOPLUS i4-PAC™
- 構成:Half Bridge
- 入力:Standard
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):40 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):600 V
- 電流 - コレクターカットオフ（最大）:600 µA
- I G B Tタイプ:NPT
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.2V @ 15V, 25A
- 入力容量 ( Cies) @ Vce:1.6 nF @ 25 V
- N T Cサーミスタ:No
- EU RoHS ステータス:RoHS3(EU 2015/863)
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- カリフォルニア州プロポジション 65:Warning: This product may contain chemicals prohibited by California Proposition 65.
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
FII40-06D bereitgestellt von IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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