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IXYS IX2A11S1
IC GATE DRVR HALF BRIDGE 8SOIC
Hersteller Modell :IX2A11S1
Hersteller :IXYS
Dasenic Modell :IX2A11S1-DS
Dokument :
IX2A11S1 Dokument
IX2A11S1 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : IC GATE DRVR HALF BRIDGE 8SOIC
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IX2A11S1 Informationen
IXYS IX2A11S1 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- 入力タイプ:-
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOIC
- 電圧 - 供給:-
- チャンネルタイプ:-
- 駆動構成:-
- ドライバー数:-
- ゲートタイプ:-
- ロジック電圧 - V I L、 V I H:-
- 電流 - ピーク出力（ソース、シンク）:-
- ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):-
- 上昇/下降時間（標準）:-
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8542.39.0001
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IX2A11S1 bereitgestellt von IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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