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IXYS IX4R11S3

Name: IX4R11S3
Brand: IXYS
SKU: DS-6138623
Availability: InStock
Rating: 4.8 (3 reviews)

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC

Hersteller Modell :IX4R11S3

Hersteller :IXYS

Dasenic Modell :IX4R11S3-DS

Dokument :

IX4R11S3 Dokument

Kundenanpassung :

Kundenanpassung

Beschreibung : IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC

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IX4R11S3 Informationen

IXYS IX4R11S3 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
製品ステータス:Obsolete
動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
入力タイプ:Non-Inverting
サプライヤーデバイスパッケージ:16-SOIC
電圧 - 供給:10V ~ 35V
チャンネルタイプ:Independent
駆動構成:Half-Bridge
ドライバー数:2
ゲートタイプ:IGBT, N-Channel MOSFET
ロジック電圧 - V I L、 V I H:6V, 7V
電流 - ピーク出力（ソース、シンク）:4A, 4A
ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):650 V
上昇/下降時間（標準）:23ns, 22ns
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:Vendor is not defined
輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period

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Datasheet:
IX4R11S3,

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FedEx	3-7 business days
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IX4R11S3 bereitgestellt von IXYS

IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンドカスタマーベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスドシグナルおよびアナログ IC、RF パワーアンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。