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IXYS IX6R11S6T/R

Name: IX6R11S6T/R
Brand: IXYS
SKU: DS-6138642
Price: 8.5563 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (3 reviews)

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 18SOIC

Hersteller Modell :IX6R11S6T/R

Hersteller :IXYS

Dasenic Modell :IX6R11S6T/R-DS

Dokument :

IX6R11S6T/R Dokument

Kundenanpassung :

Kundenanpassung

Beschreibung : IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 18SOIC

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IX6R11S6T/R Informationen

IXYS IX6R11S6T/R technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
製品ステータス:Obsolete
動作温度:-40°C ~ 125°C (TA)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
入力タイプ:Non-Inverting
サプライヤーデバイスパッケージ:18-SOIC
電圧 - 供給:10V ~ 35V
チャンネルタイプ:Independent
駆動構成:Half-Bridge
ドライバー数:2
ゲートタイプ:IGBT, N-Channel MOSFET
ロジック電圧 - V I L、 V I H:6V, 9.6V
電流 - ピーク出力（ソース、シンク）:6A, 6A
ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):600 V
上昇/下降時間（標準）:25ns, 17ns
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8542.39.0001
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period

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Datasheet:
IX6R11S6T/R,

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FedEx	3-7 business days
UPS	5-7 business days

IX6R11S6T/R bereitgestellt von IXYS

IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンドカスタマーベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスドシグナルおよびアナログ IC、RF パワーアンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。