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IXYS IXGB200N60B3
IGBT 600V 75A 1250W PLUS264
Hersteller Modell :IXGB200N60B3
Hersteller :IXYS
Dasenic Modell :IXGB200N60B3-DS
Dokument :
IXGB200N60B3 Dokument
IXGB200N60B3 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : IGBT 600V 75A 1250W PLUS264
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
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| 25+ | $ 45.3572 | $ 1133.93 |
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IXGB200N60B3 Informationen
IXYS IXGB200N60B3 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-264-3, TO-264AA
- 入力タイプ:Standard
- パワー - 最大:1250 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:PLUS264™
- 逆回復時間 (trr):-
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):75 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):600 V
- I G B Tタイプ:PT
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:1.5V @ 15V, 100A
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):600 A
- エネルギーの切り替え:1.6mJ (on), 2.9mJ (off)
- ゲートチャージ:750 nC
- Td (オン/オフ) @ 25° C:44ns/310ns
- テスト条件:300V, 100A, 1Ohm, 15V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IXGB200N60B3 bereitgestellt von IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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