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IXYS IXGK300N60B3
IGBT 600V 1000W TO264AA
Hersteller Modell :IXGK300N60B3
Hersteller :IXYS
Dasenic Modell :IXGK300N60B3-DS
Dokument :
IXGK300N60B3 Dokument
IXGK300N60B3 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : IGBT 600V 1000W TO264AA
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 35.1200 | $ 35.12 |
| 10+ | $ 33.0200 | $ 330.2 |
| 25+ | $ 28.0400 | $ 701 |
| 100+ | $ 26.7400 | $ 2674 |
| 250+ | $ 25.9000 | $ 6475 |
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IXGK300N60B3 Informationen
IXYS IXGK300N60B3 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-
- 取り付けタイプ:-
- パッケージ/ケース:-
- 入力タイプ:-
- パワー - 最大:-
- サプライヤーデバイスパッケージ:-
- 逆回復時間 (trr):-
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):-
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):-
- I G B Tタイプ:-
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:-
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):-
- エネルギーの切り替え:-
- ゲートチャージ:-
- Td (オン/オフ) @ 25° C:-
- テスト条件:-
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXGK300N60B3 bereitgestellt von IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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