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IXYS IXH611P1

Name: IXH611P1
Brand: IXYS
SKU: DS-6136863
Availability: InStock
Rating: 4.8 (3 reviews)

IC GATE DRVR HALF BRIDGE 8DIP

Hersteller Modell :IXH611P1

Hersteller :IXYS

Dasenic Modell :IXH611P1-DS

Dokument :

IXH611P1 Dokument

Kundenanpassung :

Kundenanpassung

Beschreibung : IC GATE DRVR HALF BRIDGE 8DIP

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IXH611P1 Informationen

IXYS IXH611P1 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
製品ステータス:Obsolete
動作温度:-
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:8-DIP (0.300", 7.62mm)
入力タイプ:-
サプライヤーデバイスパッケージ:8-DIP
電圧 - 供給:-
チャンネルタイプ:-
駆動構成:-
ドライバー数:-
ゲートタイプ:-
ロジック電圧 - V I L、 V I H:-
電流 - ピーク出力（ソース、シンク）:-
ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):-
上昇/下降時間（標準）:-
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8542.39.0001
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period

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Datasheet:
IXH611P1,

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FedEx	3-7 business days
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IXH611P1 bereitgestellt von IXYS

IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンドカスタマーベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスドシグナルおよびアナログ IC、RF パワーアンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。