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IXYS MCB30P1200LB-TRR
MCB30P1200LB-TRR
Hersteller Modell :MCB30P1200LB-TRR
Hersteller :IXYS
Dasenic Modell :MCB30P1200LB-TRR-DS
Dokument :
MCB30P1200LB-TRR Dokument
MCB30P1200LB-TRR DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : MCB30P1200LB-TRR
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MCB30P1200LB-TRR Informationen
IXYS MCB30P1200LB-TRR technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- Produktstatus:Active
- Betriebstemperatur:-
- Montagetyp:Surface Mount
- Verpackung/ Koffer:9-PowerSMD
- Leistung – Max:-
- Gerätepaket des Lieferanten:9-SMPD-B
- F E T- Typ:4 N-Channel (Half Bridge)
- F E T- Funktion:Standard
- Drain- Source- Spannung ( Vdss):1200V (1.2kV)
- Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:-
- R D S ein (max.) bei I D, V G S:-
- Vgs(th) ( Max) @ Id:-
- Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:-
- Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:-
- EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant
- REACH-Status:REACH Unaffected
- US-ECCN:EAR99
- HTS USA:8541.29.0095
- China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
MCB30P1200LB-TRR bereitgestellt von IXYS
Seit seiner Gründung im Silicon Valley im Jahr 1983 ist IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) ein weltweiter Pionier in der Entwicklung von Leistungshalbleitern, Halbleiterrelais, integrierten Hochspannungsschaltkreisen und Mikrocontrollern. Mit einem Endkundenstamm von über 3.500 Kunden in den Branchen Industrie, Automobil, Kommunikation, Verbraucher, Medizin und Transport ist IXYS ein weltweit anerkannter Anbieter von fortschrittlichen Halbleitern. IXYS konzentriert sich auf verschiedene Halbleitertechnologien, darunter Leistungs-MOSFETs, IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors, IGBTs), Gleichrichter, Thyristoren, Dioden und andere diskrete und integrierte Halbleiterlösungen. Das Unternehmen stellt außerdem Mixed-Signal- und Analog-ICs, HF-Leistungsverstärker und Energiemanagement-ICs her. Im Januar 2018 schloss Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) die Übernahme von IXYS Corporation ab und IXYS wurde von der NASDAQ genommen.
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