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IXYS MKE38P600TLB
MOSFET N-CH
Hersteller Modell :MKE38P600TLB
Hersteller :IXYS
Dasenic Modell :MKE38P600TLB-DS
Dokument :
MKE38P600TLB Dokument
MKE38P600TLB DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET N-CH
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 32+ | $ 64.0400 | $ 2049.28 |
| 64+ | $ 61.8800 | $ 3960.32 |
| 96+ | $ 59.7400 | $ 5735.04 |
| 256+ | $ 57.6000 | $ 14745.6 |
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MKE38P600TLB Informationen
IXYS MKE38P600TLB technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:9-SMD Module
- パワー - 最大:-
- サプライヤーデバイスパッケージ:ISOPLUS-SMPD™.B
- F E Tタイプ:-
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):600V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:50A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:-
- Vgs(th) (最大) @ Id:-
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:-
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:-
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
MKE38P600TLB bereitgestellt von IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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