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IXYS MWI50-12A7
IGBT MODULE 1200V 85A 350W E2
Hersteller Modell :MWI50-12A7
Hersteller :IXYS
Dasenic Modell :MWI50-12A7-DS
Dokument :
MWI50-12A7 Dokument
MWI50-12A7 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : IGBT MODULE 1200V 85A 350W E2
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 365.6000 | $ 365.6 |
| 3+ | $ 327.5600 | $ 982.68 |
| 6+ | $ 293.7600 | $ 1762.56 |
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MWI50-12A7 Informationen
IXYS MWI50-12A7 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Modules
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:E2
- パワー - 最大:350 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:E2
- 構成:Three Phase Inverter
- 入力:Standard
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):85 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1200 V
- 電流 - コレクターカットオフ（最大）:4 mA
- I G B Tタイプ:NPT
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.7V @ 15V, 50A
- 入力容量 ( Cies) @ Vce:3.3 nF @ 25 V
- N T Cサーミスタ:No
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
MWI50-12A7 bereitgestellt von IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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