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IXYS VBE5512N07

Name: VBE5512N07
Brand: IXYS
SKU: DS-5744995
Price: 22.74 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (3 reviews)

BRIDGE RECT 1P 1.2KV 59A ECOPAC1

Hersteller Modell :VBE5512N07

Hersteller :IXYS

Dasenic Modell :VBE5512N07-DS

Dokument :

VBE5512N07 Dokument

Kundenanpassung :

Kundenanpassung

Beschreibung : BRIDGE RECT 1P 1.2KV 59A ECOPAC1

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VBE5512N07 Informationen

IXYS VBE5512N07 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
製品ステータス:Active
動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Chassis Mount
パッケージ/ケース:ECO-PAC1
テクノロジー:Standard
サプライヤーデバイスパッケージ:ECO-PAC1
ダイオードタイプ:Single Phase
電圧 - ピーク逆電圧（最大）:1.2 kV
電流 - 平均整流 ( Io):59 A
電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:2.71 V @ 30 A
電流 - 逆方向漏れ @ Vr:250 µA @ 1200 V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.10.0080
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period

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Datasheet:
VBE5512N07,

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DHL	DHL Express, 3-7 business days DHL eCommerce，12-22 business days
FedEx	3-7 business days
UPS	5-7 business days

VBE5512N07 bereitgestellt von IXYS

IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンドカスタマーベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスドシグナルおよびアナログ IC、RF パワーアンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。