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IXYS VVZ110-14IO7
RECT BRIDGE 3PH 110A 1400V PWSE2
Hersteller Modell :VVZ110-14IO7
Hersteller :IXYS
Dasenic Modell :VVZ110-14IO7-DS
Dokument :
VVZ110-14IO7 Dokument
VVZ110-14IO7 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : RECT BRIDGE 3PH 110A 1400V PWSE2
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
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VVZ110-14IO7 Informationen
IXYS VVZ110-14IO7 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Thyristors
- 製品ステータス:Active
- 構造:Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- 動作温度:-40°C ~ 125°C (TJ)
- 電圧オフ状態:1.4 kV
- 電流保持( Ih)(最大):200 mA
- 現在のオン状態( It( A V))(最大):110 A
- 電流ゲートトリガー( Igt)(最大):100 mA
- 電流オン状態( It( R M S))(最大):58 A
- 電圧ゲートトリガー( Vgt)(最大):1.5 V
- 電流非反復サージ5060 Hz( Itsm):1150A, 1230A
- S C Rダイオードの数:3 SCRs, 3 Diodes
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
VVZ110-14IO7 bereitgestellt von IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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