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Kioxia America, Inc. TH58BYG2S3HBAI6
Hersteller Modell :TH58BYG2S3HBAI6
Hersteller :Kioxia America, Inc.
Dasenic Modell :TH58BYG2S3HBAI6-DS
Dokument : TH58BYG2S3HBAI6 Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA
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TH58BYG2S3HBAI6 Informationen
Kioxia America, Inc. TH58BYG2S3HBAI6 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:67-VFBGA
- テクノロジー:FLASH - NAND (SLC)
- サプライヤーデバイスパッケージ:67-VFBGA (6.5x8)
- メモリサイズ:4Gb (512M x 8)
- メモリタイプ:Non-Volatile
- 電圧 - 供給:1.7V ~ 1.95V
- クロック周波数:-
- アクセス時間:25 ns
- メモリフォーマット:Flash
- メモリインターフェース:Parallel
- 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:25ns
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
TH58BYG2S3HBAI6 bereitgestellt von Kioxia America, Inc.
KIOXIA America, Inc. (旧 Toshiba Memory America, Inc.) は、フラッシュメモリとソリッドステートドライブ (SSD) の世界的大手サプライヤーである KIOXIA Corporation の米国子会社です。フラッシュメモリの発明から今日の画期的な BiCS FLASH™ 3D テクノロジまで、KIOXIA は人々の生活を豊かにし、社会の視野を広げる最先端のメモリソリューションとサービスを開拓し続けています。同社の革新的な 3D フラッシュメモリテクノロジである BiCS FLASH™ は、高度なスマートフォン、PC、SSD、自動車、データセンターなどの高密度アプリケーションにおけるストレージの未来を形作っています。
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