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Ohmite F10J1K5E
Hersteller Modell :F10J1K5E
Hersteller :Ohmite
Dasenic Modell :F10J1K5E-DS
Dokument : F10J1K5E Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : RES CHAS MNT 1.5K OHM 5% 10W Radial, Flat Oval
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MOQ :1 PCS
Verpackung :Radial, Flat Oval
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
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F10J1K5E Informationen
Ohmite F10J1K5E technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Resistors/Chassis Mount Resistors
- Produktstatus:Active
- Toleranz:±5%
- Temperaturkoeffizient:±260ppm/°C
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 350°C
- Merkmale:-
- Ausfallrate:-
- Verpackung/ Koffer:Radial, Flat Oval
- Größe / Dimension:0.750" L x 0.375" W (19.05mm x 9.53mm)
- Größe – Sitzend ( Max):0.375" (9.53mm)
- Leitungsstil:Solder Lugs
- Leistung ( Watt):10W
- Montagefunktion:Flange Braces, Right Angle
- Widerstand:1.5 kOhms
- Zusammensetzung:Wirewound
- Beschichtung, Gehäusetyp:Vitreous Enamel Coated
F10J1K5E bereitgestellt von Ohmite
Die Ohmite Manufacturing Company ist seit über 95 Jahren der führende Anbieter von Widerstandsprodukten für Hochstrom-, Hochspannungs- und Hochenergieanwendungen. Das gesamte Spektrum der Widerstandskonstruktion des Unternehmens umfasst Drahtwicklungen, Drahtelemente, Dickschicht- und Keramikverbindungen. Die Ohmite Manufacturing Company begann 1925 in einem kleinen Geschäft im Westen Chicagos mit dem Betrieb. 1998 wurde Ohmite von Heico Companies LLC übernommen, einer multinationalen Holdinggesellschaft mit Sitz in den USA. Gestärkt durch die Unterstützung von Heico Companies LLC ist Ohmite bestrebt, die nötige Flexibilität beizubehalten, um sowohl große als auch kleine Anforderungen zu erfüllen. Wir bieten eine breite Auswahl an Leistungswiderständen für weltweite Kunden in den Bereichen Industrie, Medizin, Militär und Luft- und Raumfahrt. Durch kontinuierliche Produktentwicklung bieten wir weiterhin die neueste Widerstandstechnologie, die für die heutigen anspruchsvollen Schaltungsdesigns für Hochspannung, Hochstrom und Hochenergie erforderlich ist.
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