Rückmeldung
Deutsch

Die Bilder dienen nur als Referenz.

Aktie

1 : $1.4618

Bei der Erstregistrierung mit Bestellungen über 2.000 US-Dollar erhalten Sie einen Gutschein im Wert von 100 US-Dollar. Registrieren !

Certifications for ISO9001
Certifications for ISO13485
Certifications for ISO45001
Certifications for ISO14001

Onsemi FDB86363-F085

MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
part number has RoHS
Hersteller Modell :FDB86363-F085
Hersteller :Onsemi
Dasenic Modell :FDB86363-F085-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
10+$ 1.4618$ 14.62
800+$ 1.2182$ 974.56
2400+$ 1.2087$ 2900.88
4800+$ 1.2029$ 5773.92
Auf Lager: 17829
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
Einzelpreis :$ 1.4618
Gesamt :$ 1.46
Waren ausliefern :
dhlupsfedex
Zahlung :
paypalwiretransferpaypal02paypal04

Hilft Ihnen, Kosten und Zeit zu sparen.

Strenge Qualitätskontrolle und zuverlässige Verpackung der Waren.

Schnelle, zuverlässige Lieferung, um Zeit zu sparen.

Bieten Sie einen 365-tägigen Garantie-Kundendienst.

FDB86363-F085 Informationen

  • Onsemi FDB86363-F085 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • Produktstatus:Active
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp:Surface Mount
  • Verpackung/ Koffer:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Gerätepaket des Lieferanten:D2PAK (TO-263)
  • Verlustleistung (max.):300W (Tc)
  • F E T- Typ:N-Channel
  • F E T- Funktion:-
  • Drain- Source- Spannung ( Vdss):80 V
  • Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:110A (Tc)
  • R D S ein (max.) bei I D, V G S:2.4mOhm @ 80A, 10V
  • Vgs(th) ( Max) @ Id:4V @ 250µA
  • Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:150 nC @ 10 V
  • Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:10000 pF @ 40 V
  • Antriebsspannung ( Max. Rds On, Min. Rds On):10V
  • Vgs (max.):±20V
  • EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant
  • MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • REACH-Status:REACH Unaffected
  • US-ECCN:EAR99
  • HTS USA:8541.29.0095
  • China RoHS-Status:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
FDB86363-F085 bereitgestellt von Onsemi
ON Semiconductor (Nasdaq: ON) wurde 1999 gegründet und konzentriert sich auf die Automobil- und Industrie-Endmärkte. Das Unternehmen beschleunigt den Wandel bei Megatrends wie Fahrzeugelektrifizierung und -sicherheit, nachhaltige Energienetze, industrielle Automatisierung sowie 5G- und Cloud-Infrastruktur. Onsemi bietet ein vielfältiges Portfolio an Halbleiterprodukten, darunter diskrete Module und Leistungsmodule, Leistungsmanagement, Signalaufbereitung und -steuerung, Sensoren, Motorsteuerung, kundenspezifische Module und ASSP, Schnittstellen, drahtlose Konnektivität, Timing, Logik und Speicher. Mit einem hochdifferenzierten und innovativen Produktportfolio entwickelt onsemi intelligente Leistungs- und Sensortechnologien, die die komplexesten Herausforderungen der Welt lösen und den Weg für eine sicherere, sauberere und intelligentere Welt weisen. Das Unternehmen mit Hauptsitz in Arizona, USA, verfügt über eine robuste Infrastruktur, die ein umfangreiches Netzwerk aus 19 Produktionsstandorten, 43 Designzentren und 8 Lösungsentwicklungszentren umfasst.
Onsemi Verwandte Produkte

Wir können Kundenanfragen nach elektronischen Komponenten umgehend erfüllen, auch bei Teilen, die auf dem Markt knapp sind.

  • RFQ