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Rochester Electronics HGT1S12N60A4DS
Hersteller Modell :HGT1S12N60A4DS
Hersteller :Rochester Electronics
Dasenic Modell :HGT1S12N60A4DS-DS
Dokument : HGT1S12N60A4DS Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : IGBT, 54A, 600V, N-CHANNEL, TO-2
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HGT1S12N60A4DS Informationen
Rochester Electronics HGT1S12N60A4DS technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 入力タイプ:Standard
- パワー - 最大:167 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-263AB
- 逆回復時間 (trr):30 ns
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):54 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):600 V
- I G B Tタイプ:-
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.7V @ 15V, 12A
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):96 A
- エネルギーの切り替え:55µJ (on), 50µJ (off)
- ゲートチャージ:120 nC
- Td (オン/オフ) @ 25° C:17ns/96ns
- テスト条件:390V, 12A, 10Ohm, 15V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:0000.00.0000
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
HGT1S12N60A4DS bereitgestellt von Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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