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Renesas Electronics HIP6601BECBZ

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
part number has RoHS
Hersteller Modell :HIP6601BECBZ
Dasenic Modell :HIP6601BECBZ-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
40+$ 0.8514$ 34.06
100+$ 0.8514$ 85.14
1000+$ 0.8514$ 851.4
10000+$ 0.8514$ 8514
Auf Lager: 11394
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
Einzelpreis :$ 0.8514
Gesamt :$ 0.85
Waren ausliefern :
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HIP6601BECBZ Informationen

  • Renesas Electronics HIP6601BECBZ technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
  • 製品ステータス:Obsolete
  • 動作温度:0°C ~ 125°C (TJ)
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
  • 入力タイプ:Non-Inverting
  • サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOIC-EP
  • 電圧 - 供給:10.8V ~ 13.2V
  • チャンネルタイプ:Synchronous
  • 駆動構成:Half-Bridge
  • ドライバー数:2
  • ゲートタイプ:N-Channel MOSFET
  • ロジック電圧 - V I L、 V I H:-
  • 電流 - ピーク出力(ソース、シンク):-
  • ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):15 V
  • 上昇/下降時間(標準):20ns, 20ns
  • EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
  • REACH規則:Vendor is not defined
  • 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
  • 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
HIP6601BECBZ bereitgestellt von Renesas Electronics
ルネサス エレクトロニクス株式会社は、産業、自動車、民生、その他の分野のさまざまなアプリケーション向けに高度な半導体ソリューションを提供する日本の半導体メーカーです。同社は、日立、三菱電機、NECエレクトロニクスの合弁会社として2003年に設立され、東京に本社を置いています。ルネサス エレクトロニクスは、マイクロコントローラ、マイクロプロセッサ、システムオンチップ(SoC)、アナログおよびパワーデバイス、メモリデバイス、システム開発用のさまざまなソフトウェアやツールなど、幅広い製品とサービスを提供しています。これらの製品は、自動車、産業、家電、モバイルデバイス、ヘルスケアなど、さまざまなアプリケーションで使用されています。ハードウェア製品に加えて、ルネサスはお客様が独自のソリューションを開発および展開するのに役立つソフトウェアとツールも提供しています。e² studio統合開発環境(IDE)は複数の言語とプラットフォームをサポートしており、ルネサスはさまざまなアプリケーション向けのさまざまなソフトウェアスタックを提供しています。ルネサスはグローバルに展開しており、アジア、ヨーロッパ、南北アメリカにオフィスと製造施設があります。
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